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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
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基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  许兴胜;  黄昕楠;  高永浩;  黎星云
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一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  牛智川;  倪海桥;  王海莉;  贺继方;  朱岩;  李密峰;  王鹏飞;  黄社松;  熊永华
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InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  黄建亮;  马文全;  张艳华;  曹玉莲
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材料的微区应力测试系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人:  高寒松;  陈涌海;  刘雨;  张宏毅;  黄威;  朱来攀;  李远;  邬庆
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近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  李琼;  马文全;  张艳华;  黄建亮
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一种结合单量子点定位功能的激光直写光刻系统及其方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  许兴胜;  高永浩;  黄昕楠;  黎星云
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