中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
发明人:  何志;  张峰;  樊中朝;  赵咏梅;  孙国胜;  季安;  杨富华
Adobe PDF(428Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：770/98  |  提交时间：2014/10/29
具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  王进泽;  杨香;  颜伟;  刘胜北;  赵继聪;  何志;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：655/1  |  提交时间：2016/08/30
一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  李迪;  贾利芳;  何志;  樊中朝;  杨富华
Adobe PDF(982Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：548/2  |  提交时间：2016/09/12
材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  赵永梅;  何志;  季安;  刘胜北;  黄亚军;  杨香;  段瑞飞;  张明亮;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(323Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：679/3  |  提交时间：2016/09/28
一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  赵永梅;  何志;  季安;  王晓峰;  黄亚军;  潘岭峰;  樊中朝;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：568/2  |  提交时间：2016/09/12
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(683Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：623/5  |  提交时间：2016/08/30
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(571Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：592/5  |  提交时间：2016/08/30