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基于磁光光子晶体的4×4二进制发生器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03
发明人:  郑婉华;  江斌;  王宇飞;  张冶金;  冯志刚
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同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:  周文飞;  徐波;  叶小玲;  张世著;  王占国
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半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  项若飞;  汪连山;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  张恒;  冯玉霞;  焦春美;  魏鸿源;  杨少延;  王占国
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基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  郭菲;  陆丹;  张瑞康;  王会涛;  王圩;  吉晨
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