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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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2009 [1]
2008 [2]
2000 [1]
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出处
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
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张永
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康俊勇
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成步文
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王启明
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提交时间:2010/11/23
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提交时间:2010/11/23
氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:
王晓亮
;
毕杨
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王翠梅
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肖红领
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冯春
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姜丽娟
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陈竑
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提交时间:2012/08/29