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大功率650nm量子阱半导体激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  史慧玲;  郑凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  方再利;  李国华;  韩和相;  丁琨;  陈晔;  彭中灵;  袁诗鑫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩和相;  汪兆平;  李国华;  徐仕杰;  丁琨;  刘南竹;  朱作明
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利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  时凯;  刘祥林;  魏鸿源;  焦春美;  王俊;  李志伟;  宋亚峰;  杨少延;  朱勤生;  王占国
Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1119/184  |  提交时间：2012/09/09