大功率650nm量子阱半导体激光器及其制作方法
史慧玲; 郑凯
2008-01-30
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2006-07-28
语种中文
申请号200610099572
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3963
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
史慧玲,郑凯. 大功率650nm量子阱半导体激光器及其制作方法[P]. 2008-01-30.
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