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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王保柱; 颜翠英; 王晓亮 Adobe PDF(952Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1024/284  |  提交时间:2012/07/16 |
| 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 杨富华; 王良臣; 黄应龙 Adobe PDF(867Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1257/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘俊岐; 刘峰奇; 李路; 邵烨; 郭瑜; 梁平; 胡颖; 孙虹 Adobe PDF(769Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1303/204  |  提交时间:2009/06/11 |
| 镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘俊岐; 刘峰奇; 路秀真; 郭瑜; 梁平; 胡颖; 孙虹 Adobe PDF(679Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1366/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 梁平; 孙红; 胡颖; 王晓东 Adobe PDF(413Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1400/237  |  提交时间:2009/06/11 |
| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙 Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1158/166  |  提交时间:2009/06/11 |
| 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 姜磊; 白云霞; 王莉 Adobe PDF(207Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1425/204  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Pan JQ (Pan Jiao-Qing); Zhao Q (Zhao Qian); Zhu HL (Zhu Hong-Liang); Zhao LJ (Zhao Ling-Juan); Ding Y (Ding Ying); Wang BJ (Wang Bao-Jun); Zhou F (Zhou Fan); Wang LF (Wang Lu-Feng); Wang W (Wang Wei); Pan, JQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Optoelect Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jqpan@red.semi.ac.cn Adobe PDF(260Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1092/338  |  提交时间:2010/04/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 马龙; 王良臣; 黄应龙; 杨富华 Adobe PDF(395Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:864/356  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 马龙; 杨富华; 王良臣; 余洪敏; 黄应龙 Adobe PDF(2512Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:835/257  |  提交时间:2010/11/23 |