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| p-GaN增强型HEMT栅极新结构的研究 学位论文
电子信息硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 杨军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang JR (Liang Ji-ran); Hu M (Hu Ming); Wang XD (Wang Xiao-dong); Li GK (Li Gui-ke); Kan Q (Kan Qiang); Ji A (Ji An); Yang FH (Yang Fu-hua); Liu J (Liu Jian); Wu NJ (Wu Nan-jian); Chen HD (Chen Hong-da); Liang, JR, Tianjin Univ, Coll Elect Sci & Technol, Sch Elect & Informat Engn, Tianjin 300072, Peoples R China. 电子邮箱地址: liang_jiran@tju.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁继然 ; 胡明; 王晓东; 李贵柯; 阚强; 季安; 杨富华; 刘剑; 吴南健; 陈弘达
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| 适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN200920106986.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨晋玲; 周美强; 周 威; 唐龙娟; 朱银芳; 杨富华
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| 基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102502481A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-06-20, 2012-06-20, 2012-09-07
发明人: 毛旭; 方志强; 杨晋玲; 杨富华
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| 用于微机电系统器件的圆片级三维封装方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102363520A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-02-29, 2012-09-07
发明人: 郑海洋; 杨晋玲; 杨富华
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| 采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081983.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐龙娟; 杨晋玲; 解婧; 李艳; 杨富华
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| 微机电系统机械组元可靠性评估的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078562.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨晋玲; 周威; 周美强; 朱银芳; 杨富华
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| 大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235859.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨晋玲; 刘云飞; 解婧; 杨富华
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| 一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235870.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨晋玲; 解婧; 刘云飞; 杨富华
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