SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
p-GaN增强型HEMT栅极新结构的研究
杨军
学位类型硕士
2023-06-26
学位授予单位中国科学院大学
学位授予地点中国科学院半导体研究所
学位名称电子信息硕士
语种中文
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31666
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
杨军. p-GaN增强型HEMT栅极新结构的研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2023.
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GK2023117-硕士-集成中心-杨军(137988KB)学位论文 限制开放CC BY-NC-SA请求全文
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