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基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置; 基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置
毛旭; 方志强; 杨晋玲; 杨富华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-07 ; 2012-06-20 ; 2012-06-20 ; 2012-09-07
授权国家中国
专利类型发明
摘要 本发明公开了一种基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置,该系统包括真空腔室、支架平台、键合装置、电流源和真空泵组,其中:真空腔室,用于提供键合所需的真空或惰性气氛;键合装置,位于真空腔室内部的支架平台上,用于对待键合圆片提供键合压力,并向外部电流源和待键合圆片提供电气连接通路;电流源,通过真空腔室侧壁上的电学穿通件与键合装置相连,为待键合圆片键合区域的电阻丝提供电流,实现局域电阻加热;真空泵组,连接于真空腔室底部,用于对真空腔室抽真空。本发明提供的键合系统及装置,结构紧凑,制作和组装简单,在高真空或可控惰性气体中完成键合,可避免键合过程中氧化物的形成及其对键合质量产生的不良影响。
部门归属半导体集成技术工程研究中心
申请日期2011-11-03
专利号CN102502481A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110343625.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23340
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
毛旭,方志强,杨晋玲,等. 基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置, 基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置. CN102502481A.
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基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装(710KB) 限制开放使用许可请求全文
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