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| 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 伊晓燕; 王良臣; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(529Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1545/250  |  提交时间:2009/06/11 |
| 光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李晋闽; 王晓东; 王国宏; 王良臣; 杨富华 Adobe PDF(606Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1332/201  |  提交时间:2009/06/11 |
| GaN基功率型LED的P、N双透明接触电极及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王立彬; 王良臣 Adobe PDF(496Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1450/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王立彬; 伊晓燕; 刘志强; 陈宇; 郭德博; 王良臣 Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1675/265  |  提交时间:2009/06/11 |
| 低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕; 李艳 Adobe PDF(386Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1548/257  |  提交时间:2009/06/11 |
| P型氮化镓电极的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕 Adobe PDF(368Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1433/202  |  提交时间:2009/06/11 |
| GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕; 郭金霞 Adobe PDF(581Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1561/229  |  提交时间:2009/06/11 |
| 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 杨富华; 王良臣; 黄应龙 Adobe PDF(867Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1257/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| 采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王良臣; 伊晓燕; 刘志强 Adobe PDF(698Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1317/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用倒装技术制作功率型微结构发光二极管管芯的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郭金霞; 王良臣 Adobe PDF(722Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1097/147  |  提交时间:2009/06/11 |