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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [9]
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曹玉莲 [2]
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发表日期
2008 [9]
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一种采用极化空穴注入结构的有机发光二极管
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
秦大山
;
曹国华
;
曹俊松
;
曾一平
;
李晋闽
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提交时间:2009/06/11
采用微量金属掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
秦大山
;
曹国华
;
曹俊松
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1286/222
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提交时间:2009/06/11
在微波、臭氧环境下ITO玻璃的处理方法与装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
曹峻松
;
秦大山
;
曹国华
;
曾一平
;
李晋闵
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浏览/下载:1353/202
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提交时间:2009/06/11
采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
秦大山
;
曹国华
;
曹俊松
;
曾一平
;
李晋闽
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cao JS
;
Guan M
;
Cao GH
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Qin DS
;
Cao, JS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: guanmin@semi.ac.cn
;
ypzeng@red.semi.ac.cn
;
qindashan@yahoo.com.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cao JS
;
Guan M
;
Cao GH
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Qin DS
;
Cao, JS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: guanmin@semi.ac.cn
;
ypzeng@red.semi.ac.cn
;
qindashan@yahoo.com.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
He GR
;
Zheng WH
;
Qu HW
;
Yang GH
;
Wang Q
;
Cao YL
;
Chen LH
;
He, GR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cao GH
;
Qin DS
;
Guan M
;
Cao JS
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Qin, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qindashan@yahoo.com.cn
;
ypzeng@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
何国荣
;
郑婉华
;
渠红伟
;
杨国华
;
王青
;
曹玉莲
;
陈良惠
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提交时间:2010/11/23