已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1399/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 牛智川; 方志丹; 倪海桥; 韩勤; 龚政; 张石勇; 佟存柱; 彭红玲; 吴东海; 赵欢; 吴荣汉 Adobe PDF(629Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1833/227  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 陈晨龙 Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1099/170  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈涌海; 张春玲; 崔草香; 徐波; 金鹏; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(467Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1361/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| 红外线探测材料GaAs 基InAsSb 薄膜的生长和性质研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006 作者: 彭长涛 Adobe PDF(2106Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:995/24  |  提交时间:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 白一鸣; 陈诺夫; 戴瑞炬; 王鹏; 彭长涛 Adobe PDF(267Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:785/221  |  提交时间:2010/11/23 |