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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [9]
作者
于芳 [2]
文献类型
会议论文 [9]
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2008 [1]
2003 [2]
2002 [1]
2001 [2]
2000 [1]
1998 [2]
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INTEGRATED... [2]
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Fabrication of improved FD SOIMOSFETs for suppressing edge effect
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Wang, N
;
Li, N
;
Liu, ZL
;
Yu, F
;
Li, GH
;
Wang, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1268/227
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提交时间:2010/03/09
Soi
Mosfet
Long-wavelength SiGe/Si MQW resonant-cavity-enhanced photodetectors (RCE-PD) for application in optical fiber communication network
会议论文
PROCEEDINGS OF THE SIXTH CHINESE OPTOELECTRONICS SYMPOSIUM, KOWLOON, PEOPLES R CHINA, SEP 12-14, 2003
作者:
Wang QM
;
Li C
;
Cheng BW
;
Yang QQ
;
Lei ZL
;
Yu JZ
;
Wang QM Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials
会议论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 42, SEOUL, SOUTH KOREA, AUG 20-23, 2002
作者:
Wang X
;
Chen M
;
Chen J
;
Dong YN
;
Liu XH
;
He P
;
Tian LL
;
Liu ZL
;
Chen J Chinese Acad Sci Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol Ion Beam Lab 865 Changning Rd Shanghai 200050 Peoples R China.
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浏览/下载:1223/242
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提交时间:2010/11/15
Soi
Nanostructure
Microelectronic Materials
Studies of 6H-SiC devices
会议论文
CURRENT APPLIED PHYSICS, 2 (5), SEOUL, SOUTH KOREA, DEC 05-09, 2001
作者:
Wang SR
;
Liu ZL
;
Wang SR Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Sic
Schottky
Pn Junction Diodes
Mos Capacitor
Junction Diodes
Ti Schottky barrier diodes on n-type 6H-SiC
会议论文
SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, OCT 22-25, 2001
作者:
Liu ZL
;
Wang SR
;
Yu F
;
Zhang YG
;
Zhao H
;
Liu ZL Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Semiconductor
Type I-type II transition of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 223 (1), SAPPORO, JAPAN, SEP 24-28, 2000
作者:
Li GH
;
Chen Y
;
Fung ZL
;
Ding K
;
Han HX
;
Zhou W
;
Wang ZG
;
Li GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Hydrostatic-pressure
Photoluminescence
Gaas
Luminescence
Growth
Insb
Gasb
Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 72 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Wang QY
;
Nie JP
;
Yu F
;
Liu ZL
;
Yu YH
;
Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Solid Phase Epitaxy
SilicOn On Sapphire (Sos)
Carrier Mobility
The SPER and characteristics of Si1-yCy alloys
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Yu Z
;
Yu JZ
;
Cheng BW
;
Lei ZL
;
Li DZ
;
Wang QM
;
Liang JW
;
Yu Z Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1310/206
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提交时间:2010/10/29
Si1-ycy Alloys
Ion implantatIon
Solid Phase Epitaxy Recrystallization
Preparation and photoluminescence of nc-Si/SiO2 MQW
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Cheng BW
;
Yu JZ
;
Yu Z
;
Lei ZL
;
Li DZ
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29