Fabrication of improved FD SOIMOSFETs for suppressing edge effect
Wang, N; Li, N; Liu, ZL; Yu, F; Li, GH; Wang, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
2008
会议名称9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
会议录名称2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY
页码VOLS 1-4: 231-234
会议日期OCT 20-23, 2008
会议地点Beijing, PEOPLES R CHINA
出版地345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA
出版者IEEE
ISBN978-1-4244-2185-5
部门归属[wang, ningjuan; liu, zhongli] chinese acad sci, inst semicond, beijing 100083, peoples r china
摘要FD SOI MOSFETs with MESA and Irradiated FD SOI MOSFETs with LOCOS isolation usually show the edge effect, that is, the leakage current called hump is generated in the subthreshold region. According to different reasons for generating the edge effect, rounded corner process and BTS structure are applied to improve device performance. The results indicate that the above two methods are effective to reduce the edge effect and qualified devices are fabricated successfully.
关键词Soi Mosfet
学科领域微电子学
主办者IEEE Beijing Sect.; Chinese Inst Elect.; IEEE Electron Devices Soc.; IEEE EDS Beijing Chapter.; IEEE Solid State Circuits Soc.; IEEE Circuites & Syst Soc.; IEEE Hong Kong EDS, SSCS Chapter.; IEEE SSCS Beijing Chapter.; Japan Soc Appl Phys.; Elect Div IEEE.; URSI Commiss D.; Inst Elect Engineers Korea.; Assoc Asia Pacific Phys Soc.; Peking Univ, IEEE EDS Student Chapter.
收录类别CPCI-S
语种英语
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/8270
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
通讯作者Wang, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
推荐引用方式
GB/T 7714
Wang, N,Li, N,Liu, ZL,et al. Fabrication of improved FD SOIMOSFETs for suppressing edge effect[C]. 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA:IEEE,2008:VOLS 1-4: 231-234.
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