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| 一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人: 渠红伟; 郑婉华; 刘安金; 王 科; 张冶金; 彭红玲; 陈良惠
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| 在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 一种具备杂质深能级的晶体硅光伏电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183447.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 韩培德
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| 一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010191164.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 韩培德
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| 一种低偏置电压下具有增益的硅光电探测器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 韩培德
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| 基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102376874A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 张杨; 曾一平
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| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华
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| 在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 赵建华; 王思亮; 俞学哲; 王海龙
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| 直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人: 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 杨涛; 王占国
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| Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人: 刘波亭; 马平; 郭仕宽; 甄爱功; 张烁; 吴冬雪; 王军喜; 李晋闽
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