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Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  杜文娜
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Inassb纳米线  生长机制  平面纳米线  纳米线阵列  金属有机化学气相沉积  
硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
Inventors:  杨涛;  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  季祥海;  王占国
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直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
Inventors:  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  杨涛;  王占国
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