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在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法; 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法
苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30 ; 2011-08-30 ; 2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明提供一种在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法,包括如下步骤:步骤1:在Si衬底上生长一层第一Ge材料层;步骤2:在第一Ge材料层上生长一层第二Ge材料层;步骤3:在第二Ge材料层上生长一层第一GeSn合金层;步骤4:在第一GeSn合金层上生长一层第二GeSn合金层,完成材料的生长。
部门归属集成光电子学国家重点实验室
专利号CN201010231169.X
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010231169.X
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21909
专题集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
苏少坚,汪巍,成步文,等. 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法, 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法. CN201010231169.X.
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