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一种非对称沟道量子点场效应光子探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人:  杨晓红;  聂诚磊;  史章淳;  倪海桥;  韩勤
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降低Ni/Au与p-GaN欧姆接触的比接触电阻率的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  李晓静;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  朱建军;  陈平
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