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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Rui;  Zhang Fan;  Zhao Youwen;  Dong Zhiyuan;  Yang Jun
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Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects 会议论文
2005 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials丛书标题: CONFERENCE PROCEEDINGS - INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, Glasgow, SCOTLAND, MAY 08-12, 2005
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China.
Adobe PDF(638Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1619/383  |  提交时间：2010/03/29
Encapsulated Czochralski Inp  Semiconductor Compound-crystals  Stimulated Current Spectroscopy  Current Transient Spectroscopy  Deep-level Defects  Annealing Ambient  Point-defects  Fe  Phosphide  Donors  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shen Xiaoming;  Wang Yutian;  Wang Jianfeng;  Liu Jianping;  Zhang Jicai;  Guo Liping;  Jia Quanjie;  Jiang Xiaoming;  Hu Zhengfei;  Yang Hui;  Liang Junwu
Adobe PDF(634Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1240/332  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Youwen;  Dong Zhiyuan;  Duan Manlong;  Sun Wenrong;  Yang Zixiang;  Lu Xuru;  Wang Yingli
Adobe PDF(271Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2004/404  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Dabing;  Dong Xun;  Liu Xianglin;  Wang Xiaohui;  Wang Zhanguo
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Space-grown SI-GaAs and its application 会议论文
2002 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTING & INSULATING MATERIALS, SMOLENICE, SLOVAKIA, JUN 30-JUL 05, 2002
作者:  Chen NF;  Zhong XG;  Zhang M;  Lin LY;  Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Semiinsulating Gallium-arsenide  Floating-zone Growth  Crystal-growth  Zero Gravity  Microgravity  Segregation  Stoichiometry  Silicon  Defects  Insb  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen NF;  Xiu HX;  Yang JL;  Wu JL;  Zhong XR;  Lin LY;  Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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Semi-insulating GaAs grown in outer space 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Chen NF;  Zhong XR;  Lin LY;  Xie X;  Zhang M;  Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Gaas  Outer Space  Microgravity  Integrated Circuit  Semiinsulating Gallium-arsenide  Lec-gaas  Defects  Stoichiometry  Segregation  Carbon  Boron  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen NF;  Zhong XR;  Lin LY;  Xie X;  Zhang M;  Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  CUI J;  WANG HL;  GAN FX;  HAN HX;  LI GH;  WANG ZP;  CUI J ACAD SINICAINST SEMICONDNATL LAB SUPERLATTICES & MICROSTRUCTBEIJING 100083PEOPLES R CHINA
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