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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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语种:英语
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gai YQ
;
Li JB
;
Yao B
;
Xia JB
;
Gai YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang ZG
;
Gao F
;
Li JB
;
Zu XT
;
Weber WJ
;
Wang ZG Univ Elect Sci & Technol China Dept Appl Phys Chengdu 610054 Peoples R China. E-mail Address: zgwang@uestc.edu.cn
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浏览/下载:1137/331
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fang, ZJ
;
Shi, LJ
;
Liu, YH
;
Fang, ZJ, China Univ Mining & Technol, Sch Mech & Civil Engn, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nnfang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1047/286
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng, H
;
Peng, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mypen-cn@semi.ac.cn
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浏览/下载:1034/442
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fang CB (Fang Cebao)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XY (Wang Xiaoyan)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li CJ (Li Chengji)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zanguo)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cui LJ (Cui L. J.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Wang BQ (Wang B. Q.)
;
Zhu ZP (Zhu Z. P.)
;
Cui, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ljcui@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1119/313
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提交时间:2010/04/11
Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality
会议论文
2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, Princeton, NJ, MAY 07-11, 2006
作者:
Zhao, YW (Zhao, Youwen)
;
Dong, ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Dong, HW (Dong, Hongwei)
;
Sun, NF (Sun, Niefeng)
;
Sun, TN (Sun, Tongnian)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1525/450
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提交时间:2010/03/29
Stimulated Current Spectroscopy
Current Transient Spectroscopy
Fe-doped Inp
Point-defects
Compensation
Temperature
Donors
Traps
Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects
会议论文
2005 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials丛书标题: CONFERENCE PROCEEDINGS - INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, Glasgow, SCOTLAND, MAY 08-12, 2005
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China.
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浏览/下载:1576/383
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提交时间:2010/03/29
Encapsulated Czochralski Inp
Semiconductor Compound-crystals
Stimulated Current Spectroscopy
Current Transient Spectroscopy
Deep-level Defects
Annealing Ambient
Point-defects
Fe
Phosphide
Donors
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hu WG
;
Wang Z
;
Su BF
;
Dai YQ
;
Wang SJ
;
Zhao YW
;
Wang, Z, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangz@whu.edu.cn
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提交时间:2010/03/09
Annealing ambient controlled deep defect formation in InP
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Zeng YP
;
Sun NF
;
Sun TN
;
Zhao YW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
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浏览/下载:1466/301
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提交时间:2010/10/29
Fe-doped Inp
Semiinsulating Inp
Point-defects
Pressure
Wafers
Traps