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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [25]
作者
江德生 [5]
文献类型
期刊论文 [19]
会议论文 [6]
发表日期
2001 [25]
语种
英语 [25]
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发表日期:2001
语种:英语
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Optical characterization of the Ge/Si (001) islands in multilayer structure
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Huang CJ
;
Zuo YH
;
Li C
;
Li DZ
;
Cheng BW
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Huang CJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Ge/si Islands
Quantum Dot
Band Alignment
Pl
Si/si1-xgex Quantum-wells
Stranski-krastanov Growth
Ii Band Alignment
Ge Islands
Temperature-dependence
Photoluminescence
Layers
Luminescence
Organization
Mechanism
Long-wavelength Si-based MQW photodetectors for application in optical fiber communication
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Wang QM
;
Li C
;
Yang QQ
;
Liu YL
;
Zhu YQ
;
Cheng BW
;
Yu JZ
;
Wang QM Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Joint Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1406/298
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提交时间:2010/10/29
Long-wavelength
Si
Waveguide
Resonant-cavity-enhanced Photodetector
And Optical Communication
Observation of deep electron states in n-type Al-doped ZnS1-xTex grown by molecular beam epitaxy
会议论文
SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, OCT 22-25, 2001
作者:
Lu LW
;
Ge WK
;
Sou IK
;
Wang J
;
Lu LW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Znste
Photoluminescence from carbon nanotubes
会议论文
PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II, 87, OSAKA, JAPAN, SEP 17-22, 2000
作者:
Han HX
;
Li GH
;
Ge WK
;
Wang ZP
;
Xu ZY
;
Xie SS
;
Chang BH
;
Sun LF
;
Wang BS
;
Xu G
;
Su ZB
;
Han HX Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Electronic-structure
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Gao F
;
Lin YX
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Annealing
Molecular Beam Epitaxy
Germanium Silicon Alloys
Semiconducting Materials
Strain Relaxation
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu BL
;
Xu ZY
;
Wang BS
;
Deng YM
;
Yang FH
;
Ge WK
;
Liu BL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao F
;
Huang CJ
;
Huang DD
;
Li JP
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Gao F,Shaanxi Normal Univ,Dept Phys,Xian 710062,Peoples R China.
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浏览/下载:1039/241
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu BL
;
Liu B
;
Xu ZY
;
Ge WK
;
Liu BL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao F
;
Huang DD
;
Li JP
;
Kong MY
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Gao F,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1107/317
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Zhang M
;
Wang YS
;
Bai XW
;
Zhao J
;
Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12