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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [8]
作者
徐波 [4]
金鹏 [3]
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潘教青 [1]
叶小玲 [1]
文献类型
会议论文 [8]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [2]
2004 [2]
语种
英语 [8]
出处
SMIC-XIII ... [2]
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JOURNAL OF... [1]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:
Zhao C
;
Chen YH
;
Xu B
;
Tang CG
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Molecular-beam Epitaxy
Evolution of wetting layers in InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Chen YH
;
Tang CH
;
Xu B
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Inas
On the performance analysis and design of a novel shared-layer integrated devices using RCE-p-i-n-PD/SHBT - art. no. 67820J
会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES II, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2007
作者:
Shou-Li Z
;
De-Ping X
;
Ya-Li I
;
Hai-Lin C
;
Yin-Zhe C
;
Ang M
;
Ji-He L
;
Jun-Hua G
;
Shou-Li, Z, Zhejiang Univ Technol, Coll Informat Engn, Hangzhou 310014, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Rce- P-i-n-pd
Anomalous temperature-dependent bimodal size evolution of InAs quantum dots on vicinal GaAs(100) substrates
会议论文
Proceedings of International Symposium on Biophotonics Nanophotonics and Metamaterials, Hangzhou, PEOPLES R CHINA, OCT 16-18, 2006
作者:
Liang S
;
Zhu HL
;
Zhou JT
;
Cheng YB
;
Pan JQ
;
Zhao LJ
;
Wang W
;
Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Chemical-vapor-deposition
Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Singapore, SINGAPORE, JUL 03-08, 2005
作者:
Jiang, DS
;
Qu, YH
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
;
Jiang, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Molecular Beam Epitaxy
Controlled growth of III-V compound semiconductor nano-structures and their application in quantum-devices
会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Xu B
;
Wang ZG
;
Chen YH
;
Jin P
;
Ye XL
;
Liu HY
;
Zhang ZY
;
Shi GX
;
Zhang CL
;
Wang YL
;
Liu FQ
;
Xu, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Dots
Molecular-beam epitaxial growth of position controlled InAs islands on cleaved edge of InGaAs/GaAs superlattice
会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Cui CX
;
Chen YH
;
Zhang CL
;
Jin P
;
Xu B
;
Shi GX
;
Zhao C
;
Wang ZG
;
Cui, CX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Quantum Dots
Desorption and Ripening of Low Density InAs Quantum Dots
会议论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, JUN 04-06, 2007
作者:
Zhan, F
;
Huang, SS
;
Niu, ZC
;
Ni, HQ
;
Xiong, YH
;
Fang, ZD
;
Zhou, HY
;
Luo, Y
;
Huang, SS, Tsinghua Univ, Dept Elect Engn, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100084, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Quantum Dots