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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [5]
作者
文献类型
会议论文 [5]
发表日期
1998 [5]
语种
英语 [5]
出处
APPLICATIO... [1]
HYDROGEN I... [1]
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JOURNAL OF... [1]
SEMICONDUC... [1]
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收录类别:CPCI\-S
发表日期:1998
语种:英语
专题:中国科学院半导体研究所
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Design and fabrication of GaAs OMIST photodetector
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Kang XJ
;
Lin SM
;
Liao QW
;
Gao JH
;
Liu SA
;
Cheng P
;
Wang HJ
;
Zhang CH
;
Wang QM
;
Kang XJ Acad Sinica Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Photodetector
Oxidation
Materials Growth
The role of hydrogen in semi-insulating INP
会议论文
HYDROGEN IN SEMICONDUCTORS AND METALS, 513, SAN FRANCISCO, CA, APR 13-17, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Qian JJ
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1134/0
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提交时间:2010/10/29
Visible vertical cavity surface emitting laser
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Cheng P
;
Ma XY
;
Gao JH
;
Kang XJ
;
Cao Q
;
Wang HJ
;
Luo LP
;
Zhang CH
;
Lu XL
;
Lin SM
;
Cheng P Acad Sinica Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Semiconductor Lasers
Oxidation
The influence of thickness on properties of GaN buffer layer and heavily Si-doped GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, TOKUSHIMA CITY, JAPAN, OCT 27-31, 1997
作者:
Liu XL
;
Wang LS
;
Lu DC
;
Wang D
;
Wang XH
;
Lin LY
;
Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlliu@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Movpe
Gan
Gan Buffer
Heavy Si-doping
Twin and grain boundary in InP: A synchrotron radiation study
会议论文
APPLICATIONS OF SYNCHROTRON RADIATION TECHNIQUES TO MATERIALS SCIENCE IV, 524, SAN FRANCISCO, CA, APR 13-17, 1998
作者:
Han YJ
;
Jiang JH
;
Wang ZG
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Tian YL
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29