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| 利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 朱洪亮; 侯康平; 杨华; 梁松; 王圩 Adobe PDF(666Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1319/174  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国 Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1403/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1622Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1186/117  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1501Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1329/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 能引出低熔点金属离子的冷阴极潘宁离子源 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 徐嘉东; 李建明; 杨占坤 Adobe PDF(342Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1064/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1236/148  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1261/128  |  提交时间:2009/06/11 |
| 单相钆硅化合物以及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李艳丽; 陈诺夫; 杨少延; 刘志凯 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1133/151  |  提交时间:2009/06/11 |
| 低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(665Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1211/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 蒋渭生 Adobe PDF(728Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1198/149  |  提交时间:2009/06/11 |