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| 10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010171382.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘小宇; 马文全; 张艳华; 种明 Adobe PDF(355Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1584/275  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种制备半导体固态白光光源的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810226287.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 徐云; 陈良惠; 宋国峰; 李玉璋; 王玉平 Adobe PDF(477Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1386/195  |  提交时间:2011/08/31 |
| HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010123021.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张宇; 王国伟; 汤宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川; 陈良惠 Adobe PDF(176Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1655/269  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种制备微小化固态白光光源的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810226286.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 徐云; 陈良惠; 胡海峰; 宋国峰; 李玉璋; 王玉平 Adobe PDF(351Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1384/142  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910079801.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋国峰; 张宇; 汪卫敏; 陈熙 Adobe PDF(474Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1687/261  |  提交时间:2011/08/31 |
| “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157903A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 迂修; 张宇; 王国伟; 徐应强; 徐云; 宋国峰 Adobe PDF(227Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1405/352  |  提交时间:2012/09/09 |
| 甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 卫炀; 马文全; 张艳华; 曹玉莲 Adobe PDF(715Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2229/82  |  提交时间:2014/10/31 |
| Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 张艳华; 马文全; 曹玉莲 Adobe PDF(927Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:654/88  |  提交时间:2014/10/31 |
| InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 发明人: 黄建亮; 马文全; 张艳华; 曹玉莲 Adobe PDF(479Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1390/104  |  提交时间:2014/10/31 |
| 钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 发明人: 曹玉莲; 马文全; 张艳华 Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1392/77  |  提交时间:2014/10/31 |