Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 | |
| 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 | |
| 2007-07-25 | |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 |
| 专利类型 | 发明 |
| 申请日期 | 2006-01-18 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | 200610011228 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3821 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓亮,胡国新,马志勇,等. 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法[P]. 2007-07-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 200610011228.pdf（724KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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