碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
2007-07-25
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2006-01-18
语种中文
申请号200610011228
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3821
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
王晓亮,胡国新,马志勇,等. 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法[P]. 2007-07-25.
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