SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法
王莉娟; 喻颖; 査国伟; 徐建星; 倪海桥; 牛智川
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-02-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体物理
申请日期2013-10-25
申请号CN201310510519.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25491
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
王莉娟,喻颖,査国伟,等. 一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法.(961KB) 限制开放使用许可请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[王莉娟]的文章
[喻颖]的文章
[査国伟]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[王莉娟]的文章
[喻颖]的文章
[査国伟]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[王莉娟]的文章
[喻颖]的文章
[査国伟]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。