一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法
王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-12-26
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2012-09-05
申请号CN201210325765.3
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25328
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
王建霞,李志伟,赵桂娟,等. 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法.
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