SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法
孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-08-01
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2012-03-31
申请号CN201210093564.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25315
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
孙波,赵丽霞,伊晓燕,等. 制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法.
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制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法.(243KB) 限制开放使用许可请求全文
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