SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
制备GaN厚膜垂直结构LED的方法
羊建坤; 魏同波; 胡强; 霍自强; 段瑞飞; 王军喜
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-03-13 ; 2013-03-13
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2012-11-30
申请号CN201210505214.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25189
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
羊建坤,魏同波,胡强,等. 制备GaN厚膜垂直结构LED的方法.
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