在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法; 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法
桑玲; 王俊; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法,包含以下步骤:步骤1:取一衬底放入MOCVD设备中;步骤2:在MOCVD设备中利用载气通入锌源,在衬底上生长一层锌隔离层;步骤3:在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧源,使得在锌隔离层上得到氧化锌薄膜和氧化锌薄膜上面的平行于衬底表面排列的氧化锌纳米线。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号CN102191540A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110119981.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23488
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
桑玲,王俊,魏鸿源,等. 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法, 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法. CN102191540A.
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在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳(288KB) 限制开放使用许可请求全文
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