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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu, LQ;  Wang, HT;  Lu, D;  Liang, S;  Zhang, C;  Pan, BW;  Zhang, LM;  Zhao, LJ
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qi QO (Qi Qiong);  Yu AF (Yu Aifang);  Wang LM (Wang Liangmin);  Jiang C (Jiang Chao);  Jiang, C, Natl Ctr Nanosci & Technol, 1 Beiyitiao Zhongguancun, Beijing 100190, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang LM (Tang Li-Ming);  Wang LL (Wang Ling-Ling);  Wang D (Wang Dan);  Liu JZ (Liu Jian-Zhe);  Chen KQ (Chen Ke-Qiu);  Tang, LM, Hunan Univ, Sch Phys & Microelect, Minist Educ, Key Lab Micro Nano Optoelect Devices, Changsha 410082, Hunan, Peoples R China. 电子邮箱地址: lmtang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Hu GX (Hu Guoxin);  Ma ZY (Ma Zhiyong);  Ran JX (Ran Junxue);  Wang CM (Wang Cuimei);  Mao HL (Mao Hongling);  Tang H (Tang Han);  Li HP (Li Hanping);  Wang JX (Wang Junxi);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Jinmin LM (Li Jinmin);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王勇刚;  马骁宇;  吕卉;  王丽明;  刘媛媛
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邓浩江;  王守觉;  杜利民
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650nm AlGaInP quantum well lasers for the application of DVD 会议论文
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899, SINGAPORE, SINGAPORE, DEC 01-03, 1999
作者:  Chen LH;  Ma XY;  Guo L;  Ma J;  Ding HY;  Cao Q;  Wang LM;  Zhang GZ;  Yang YL;  Wang GH;  Tan MQ;  Chen LH Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(233Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1390/409  |  提交时间：2010/10/29
Dvd  Laser Diode  Visible  Algainp  Mocvd  Operation  Diodes  
High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method 会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:  Ma XY;  Cao Q;  Wang ST;  Guo L;  Wang ZM;  Wang LM;  He GP;  Yang YL;  Zhang HQ;  Zhou XN;  Chen LH;  Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Ingaasp  Strained Layer Quantum Well  Laser Diode  Mocvd  
High temperature operation of 650nm AlGaInP quantum well laser diodes grown by LP-MOCVD 会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419, TAIPEI, TAIWAN, JUL 09-11, 1998
作者:  Ma XY;  Cao Q;  Wang ST;  Guo L;  Lian P;  Wang LM;  Zhang XY;  Yang YL;  Zhang HQ;  Wang GH;  Chen LH;  Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Algainp  Quantum Well  Laser Diode  Mocvd  
The study of single mode 650nm AlGaInP quantum well laser diodes for DVD 会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:  Ma XY;  Cao Q;  Wang ST;  Guo L;  Wang LM;  Yang YL;  Zhang HQ;  Zhang XY;  Chen LH;  Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Algainp  Quantum Well  Laser Diode  Mocvd  Dvd