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无权访问的条目 期刊论文
作者:  雷红兵;  于丽娟;  陆巧银;  国伟华;  韩春林;  黄永箴
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采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  雷红兵;  王红杰;  胡雄伟;  邓晓清;  王启明
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Analysis of equilateral triangle semiconductor microlasers with rough sidewalls 会议论文
CLEO(R)/PACIFIC RIM 2001, VOL II, TECHNICAL DIGEST, CHIBA, JAPAN, JUL 15-19, 2001
作者:  Huang YZ;  Gun WH;  Yu LJ;  Lei HB;  Huang YZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Lasers  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang YZ;  Guo WH;  Yu LJ;  Lei HB;  Huang YZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  雷红兵;  王红杰;  邓晓清;  杨沁清;  胡雄伟;  王启明;  廖左升;  杨基南
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  欧海燕;  雷红兵;  杨沁清;  王红杰;  王启明;  胡雄伟
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阵列波导光栅(AWG)复用/解复用器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2000
作者:  雷红兵
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Mechanism on exciton-mediated energy transfer in erbium-doped silicon 会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Lei HB;  Yang QQ;  Ou HY;  Wang QM;  Lei HB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Er-doped Silicon  Photoluminescence  Energy Transfer  Al2o3 Wave-guides  Er  Electroluminescence  Epitaxy  Gaas  
The fabrication of thick SiO2 layer by anodization 会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Ou HY;  Yang QQ;  Lei HB;  Wang QM;  Hu XW;  Ou HY Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Thick Sio2 Layer  Porous Silicon  Sio2/si Waveguide Device  Wave-guides  Silicon  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei HB;  Yang QQ;  Ou HY;  Wang QM;  Lei HB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(229Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：921/266  |  提交时间：2010/08/12