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一种制备半导体衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨沁清;  李成;  欧海燕;  王红杰;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  欧海燕;  雷红兵;  杨沁清;  王红杰;  王启明;  胡雄伟
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硅基二氧化硅AWG波分复用/解复用器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2000
作者:  欧海燕
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ou HY(欧海燕);  Lei HB(雷红兵);  Yang QQ(杨沁清);  Wang QM(王启明);  Hu XW(胡雄伟)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  雷红兵;  杨沁清;  欧海燕;  余金中;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  欧海燕;  雷红兵;  杨沁清;  余金中;  王启明;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  欧海燕;  杨沁清;  雷红兵;  王红杰;  余金中;  王启明;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ou HY(欧海燕);  Lei HB(雷红兵);  Yang QQ(杨沁清);  Wang QM(王启明);  Hu XW(胡雄伟)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  雷红兵;  欧海燕;  杨沁清;  胡雄伟;  余金中;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  雷红兵;  欧海燕;  杨沁清;  胡雄伟;  余金中;  王启明
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