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硅基水平III-V族纳米线晶体管的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  张望
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纳米线晶体管  Soi图形衬底  水平iii-v族纳米线  界面态  变温电学特性  
Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
Authors:  孔祥挺
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Ingaas沟道  高迁移率  Mosfet  Ge/si衬底  
离子束溅射沉积制备六方氮化硼二维原子晶体 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  王浩林
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六方氮化硼  二维原子晶体  离子束溅射沉积  衬底  大尺寸晶畴  
Si基溅射法AlN缓冲层薄膜制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  张硕
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Aln  溅射法  Si(100)衬底  氧污染  椭偏测量  
超薄二维层状晶体材料的层数表征 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
Authors:  李晓莉
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拉曼光谱  石墨烯  过渡金属硫族化合物  层数  衬底拉曼振动模强度  
无权访问的条目 学位论文
Authors:  安平博
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硅衬底氮化镓材料制备生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  冯玉霞
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Si衬底  Aln  Gan  生长机制  应力  
外延剥离技术在Ⅲ-Ⅴ族薄膜太阳电池中的应用 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
Authors:  马静
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Iii-v 族薄膜太阳电池  外延剥离技术  衬底转移  直接键合  
无权访问的条目 学位论文
Authors:  洪文婷
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无权访问的条目 学位论文
Authors:  王小耶
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