| 硅基水平III-V族纳米线晶体管的研究 | |
| 张望 | |
| 学位类型 | 硕士 |
| 导师 | 韩伟华 |
| 2017-05-27 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院大学 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 关键词 | 纳米线晶体管 Soi图形衬底 水平iii-v族纳米线 界面态 变温电学特性 |
| 学科领域 | 半导体器件 |
| 公开日期 | 2017-06-01 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28169 |
| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张望. 硅基水平III-V族纳米线晶体管的研究[D]. 北京. 中国科学院大学,2017. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 硅基水平III-V族纳米线晶体管的研究.（5766KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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