| Si基溅射法AlN缓冲层薄膜制备研究 | |
| 张硕 | |
| 学位类型 | 硕士 |
| 导师 | 段瑞飞 |
| 2016-05-26 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 关键词 | Aln 溅射法 Si（100）衬底 氧污染 椭偏测量 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2016-06-12 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27201 |
| 专题 | 中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张硕. Si基溅射法AlN缓冲层薄膜制备研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2016. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 硕士学位论文（定稿2）.pdf（3543KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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