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| 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国 Adobe PDF(257Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1383/248  |  提交时间:2012/09/09 |
| 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102176490A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 杨晓光; 杨涛 Adobe PDF(313Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1196/211  |  提交时间:2012/09/09 |
| 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国 Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1383/267  |  提交时间:2011/08/31 |
| 硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 杨涛; 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 季祥海; 王占国 Adobe PDF(878Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:576/4  |  提交时间:2016/09/12 |
| 硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18 发明人: 韩伟华; 王昊; 马刘红; 洪文婷; 杨晓光; 杨涛; 杨富华 Adobe PDF(1312Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:612/64  |  提交时间:2014/11/17 |
| 硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09 发明人: 韩伟华; 杨晓光; 杨涛; 王昊; 洪文婷; 杨富华 Adobe PDF(1132Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:591/64  |  提交时间:2014/11/17 |
| 制备砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19 发明人: 杨晓光; 杨涛 Adobe PDF(308Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:480/73  |  提交时间:2014/10/28 |
| 直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23 发明人: 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 杨涛; 王占国 Adobe PDF(867Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:776/203  |  提交时间:2014/11/24 |