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905 nm 外延叠层多有源区激光器的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
Authors:  侯继达
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半导体激光器  脉冲激光器  大功率  905 Nm  
多有源区外延结构、采用其的半导体激光器及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
Inventors:  侯继达;  熊聪;  刘素平;  马骁宇
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