SEMI OpenIR  > 光电子器件国家工程中心
多有源区外延结构、采用其的半导体激光器及其制造方法
侯继达; 熊聪; 刘素平; 马骁宇
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2015-12-30
申请号CN201511024496.7
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27377
专题光电子器件国家工程中心
推荐引用方式
GB/T 7714
侯继达,熊聪,刘素平,等. 多有源区外延结构、采用其的半导体激光器及其制造方法.
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多有源区外延结构、采用其的半导体激光器及(771KB) 限制开放使用许可请求全文
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