| 多有源区外延结构、采用其的半导体激光器及其制造方法 | |
| 侯继达; 熊聪; 刘素平; 马骁宇 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体所 |
| Date Available | 2016-09-12 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Application Date | 2015-12-30 |
| Application Number | CN201511024496.7 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27377 |
| Collection | 光电子器件国家工程中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 侯继达,熊聪,刘素平,等. 多有源区外延结构、采用其的半导体激光器及其制造方法. |
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| 多有源区外延结构、采用其的半导体激光器及（771KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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