中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR
（本次检索基于用户作品认领结果）

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
锑化物异质结半导体材料生长与光电性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  汤宝
Adobe PDF(6715Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1608/123  |  提交时间：2011/06/01
无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐应强;  汤宝;  王国伟;  任正伟;  牛智川
Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1500/314  |  提交时间：2012/07/17
GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人:  汤宝;  周志强;  郝瑞亭;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1746/287  |  提交时间：2010/03/19
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang B;  Xu YQ;  Zhou ZQ;  Hao RT;  Wang GW;  Ren ZW;  Niu ZC;  Xu YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yingqxu@semi.ac.cn
Adobe PDF(414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1247/374  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou ZQ;  Xu YQ;  Hao RT;  Tang B;  Ren ZW;  Niu ZC;  Zhou ZQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yingqxu@semi.ac.cn
Adobe PDF(481Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1100/306  |  提交时间：2010/03/08
HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010123021.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张宇;  王国伟;  汤宝;  任正伟;  徐应强;  牛智川;  陈良惠
Adobe PDF(176Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1712/269  |  提交时间：2011/08/31