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| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫建昌 ; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102185056A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 马平; 王军喜; 魏学成; 曾一平; 李晋闽
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| 低位错氮化镓的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102409406A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 一种增强LED出光效率的粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 金属催化脱氢提高镁掺杂氮化物激活效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010514077.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 魏同波; 王军喜; 路红喜; 刘乃鑫; 曾一平; 李晋闽
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| 氮化镓生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224104.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 段瑞飞; 魏同波; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李璟; 王国宏; 魏同波; 张杨; 孔庆峰
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| 制备半球形微纳米透镜阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-03, 2013-04-03
发明人: 魏同波; 吴奎; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 一种控制半导体LED外延片内应力的装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人: 张宁; 魏学成; 刘桂鹏; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽
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