金属催化脱氢提高镁掺杂氮化物激活效率的方法 | |
魏同波; 王军喜; 路红喜; 刘乃鑫; 曾一平; 李晋闽 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2011-08-31 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
摘要 | 本发明提供一种金属催化脱氢提高镁掺杂氮化物激活效率的方法,包括如下步骤:步骤1:用溅射或者蒸发的方法在p型氮化物样品表面沉积一层金属薄层;步骤2:对沉积金属薄层的p型氮化物进行退火;步骤3:用酸溶液去除p型氮化物样品表面的金属薄层;步骤4:用去离子水对去除了金属薄层的p型氮化物样品表面清洗干净。 |
部门归属 | 中科院半导体照明研发中心 |
专利号 | CN201010514077.2 |
语种 | 中文 |
专利状态 | 公开 |
申请号 | CN201010514077.2 |
专利代理人 | 汤保平 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22125 |
专题 | 中科院半导体照明研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏同波,王军喜,路红喜,等. 金属催化脱氢提高镁掺杂氮化物激活效率的方法. CN201010514077.2. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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