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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, Shi-Yong;  Zeng, Xiang-Bo;  Peng, Wen-Bo;  Yao, Wen-Jie;  Xie, Xiao-Bing;  Yang, Ping;  Wang, Chao;  Wang, Zhan-Guo;  Zeng, X.-B.(xbzeng@semi.ac.cn)
Adobe PDF(1029Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1189/124  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng YS (Peng Yin-Sheng);  Ye XL (Ye Xiao-Ling);  Xu B (Xu Bo);  Niu JB (Niu Jie-Bin);  Jia R (Jia Rui);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Liang S (Liang Song);  Yang XH (Yang Xiao-Hong);  Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  彭银生;  叶小玲;  徐波;  牛洁斌;  贾锐;  王占国;  梁松;  杨晓红
Adobe PDF(889Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1112/194  |  提交时间：2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄添懋;  陈诺夫;  张兴旺;  白一鸣;  尹志岗;  施辉伟;  张汉;  汪宇;  王彦硕;  杨晓丽
Adobe PDF(1081Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1416/339  |  提交时间：2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘扬;  潘教青;  王宝军;  边静;  安欣;  赵玲娟
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硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
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在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208756A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  汪明;  杨涛
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掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  宋华平;  杨安丽;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237090.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  汪洋;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
Adobe PDF(463Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1133/208  |  提交时间：2011/08/31
利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1252/206  |  提交时间：2011/08/31