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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科... [17]
作者
文献类型
专利 [13]
期刊论文 [4]
发表日期
2021 [1]
2013 [3]
语种
英语 [3]
出处
Chinese Ph... [2]
Chinese Ph... [1]
NANO ENERG... [1]
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收录类别
SCI [4]
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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期刊论文
作者:
Liu, Youhai
;
Song, Haomin
;
Bei, Zongmin
;
Zhou, Lyu
;
Zhao, Chao
;
Ooi, Boon S.
;
Gan, Qiaoqiang
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提交时间:2022/07/26
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu Xing-Fang, Sun Guo-Sheng, Liu Bin, Yan Guo-Guo, Guan Min, Zhang Yang, Zhang Feng, Dong Lin, Zheng Liu, Liu Sheng-Bei, Tian Li-Xin, Wang Lei, Zhao Wan-Shun, Zeng Yi-Ping
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浏览/下载:319/68
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提交时间:2014/03/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
LIU Bin, SUN Guo-Sheng, LIU Xing-Fang, ZHANG Feng, DONG Lin, ZHENG Liu, YAN Guo-Guo, LIU Sheng-Bei, ZHAO Wan-Shun, WANG Lei, ZENG Yi-Ping, LI Xi-Guang, WANG Zhan-Guo, YANG Fei
Adobe PDF(1508Kb)
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浏览/下载:379/76
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提交时间:2014/03/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zheng Liu, Zhang Feng, Liu Sheng-Bei, Dong Lin, Liu Xing-Fang, Fan Zhong-Chao, Liu Bin, Yan Guo-Guo, Wang Lei, Zhao Wan-Shun, Sun Guo-Sheng, He Zhi, Yang Fu-Hua
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浏览/下载:427/91
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提交时间:2014/03/26
沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人:
郑柳
;
孙国胜
;
张峰
;
刘兴昉
;
王雷
;
赵万顺
;
闫果果
;
董林
;
刘胜北
;
刘斌
;
田丽欣
;
曾一平
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浏览/下载:1272/136
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提交时间:2014/11/24
沟槽型MOS势垒肖特基二极管
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:
郑柳
;
孙国胜
;
张峰
;
刘兴昉
;
王雷
;
赵万顺
;
闫果果
;
董林
;
刘胜北
;
刘斌
;
田丽欣
;
曾一平
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浏览/下载:1480/130
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提交时间:2014/11/24
在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人:
郑柳
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
张峰
;
王雷
;
赵万顺
;
闫果果
;
董林
;
刘胜北
;
刘斌
;
曾一平
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浏览/下载:836/125
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提交时间:2014/10/31
碳化硅材料腐蚀炉
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:
董林
;
孙国胜
;
赵万顺
;
王雷
;
刘兴昉
;
刘斌
;
张峰
;
闫果果
;
郑柳
;
刘胜北
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浏览/下载:888/120
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提交时间:2014/10/29
4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-28
发明人:
刘斌
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
董林
;
郑柳
;
闫果果
;
刘胜北
;
张峰
;
赵万顺
;
王雷
;
曾一平
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浏览/下载:1008/119
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提交时间:2014/11/24
一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
刘兴昉
;
杨香
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
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浏览/下载:618/0
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提交时间:2016/08/30