SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共29条,第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  詹腾;  汪炼成;  郭恩卿;  刘志强;  伊晓燕;  王国宏
Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1374/211  |  提交时间:2012/09/09
硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
Adobe PDF(257Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1398/248  |  提交时间:2012/09/09
光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  唐光华;  徐波;  叶小玲;  金鹏;  刘峰奇;  陈涌海;  王占国;  姜立稳;  孔金霞;  孔宁
Adobe PDF(377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1589/255  |  提交时间:2011/08/31
磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1408/267  |  提交时间:2011/08/31
硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  杨涛;  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  季祥海;  王占国
Adobe PDF(878Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:604/4  |  提交时间:2016/09/12
提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  李璟;  王国宏;  詹腾;  孔庆峰
Adobe PDF(444Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:624/57  |  提交时间:2014/12/25
低损伤GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人:  李璟;  王国宏;  孔庆峰;  詹腾
Adobe PDF(421Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:518/46  |  提交时间:2014/12/25
任意切割式高压LED器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07
发明人:  詹腾;  王国宏;  郭金霞;  李璟;  伊晓燕;  刘志强;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(605Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:641/76  |  提交时间:2014/11/17
一种基于高压线性恒流电源的高压LED模组 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-11
发明人:  赵勇兵;  田婷;  詹腾;  郭金霞;  杨华;  伊晓燕;  李璟;  王国宏
Adobe PDF(449Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1039/129  |  提交时间:2014/11/24
异质结构等离激元与体异质结结合的太阳电池 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-11
发明人:  毕瑜;  曲胜春;  谭付瑞;  王占国
Adobe PDF(514Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:578/97  |  提交时间:2014/11/17