已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1409/243  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1243/206  |  提交时间:2011/08/31 |
| 生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王振华; 刘祥林; 杨少延; 杨安丽 Adobe PDF(348Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1314/223  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1049/184  |  提交时间:2012/09/09 |
| 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30 发明人: 张恒; 魏鸿源; 杨少延; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:892/103  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26 发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:905/98  |  提交时间:2014/10/29 |
| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:856/85  |  提交时间:2014/10/29 |
| 制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(934Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:626/97  |  提交时间:2014/10/31 |
| 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29 发明人: 李辉杰; 杨少延; 魏鸿源; 赵桂娟; 汪连山; 李成明; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(710Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:575/2  |  提交时间:2016/09/29 |
| AlN单晶衬底生产设备及其使用方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22 发明人: 李辉杰; 杨少延; 魏鸿源; 赵桂娟; 汪连山; 李成明; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(600Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:516/5  |  提交时间:2016/09/22 |