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CMOS图像传感器全局曝光像素单元 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102447848A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-05-09, 2012-08-29
发明人:  周杨帆;  吴南健;  曹中祥;  李全良;  秦琦
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石墨烯片插层化合物制备方法及原位显微拉曼表征系统 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102156116A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-08-17, 2012-08-29
发明人:  谭平恒;  赵伟杰;  韩文鹏;  历巧巧;  姬扬
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制备Mn掺杂InP:Zn基稀磁半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102108483A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-06-29, 2012-08-29
发明人:  杨冠东;  朱峰;  李京波
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一种芯片封装外观缺陷检测系统及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  李搏;  吴南健;  刘剑;  杨永兴;  杨杰
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一种芯片外观缺陷检测系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  李搏;  吴南健;  刘剑;  杨永兴;  杨杰
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高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  曹中祥;  吴南健;  周杨帆;  李全良;  秦琦
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CMOS图像传感器全局曝光像素单元 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-05-09
发明人:  周杨帆;  吴南健;  曹中祥;  李全良;  秦琦
Adobe PDF(760Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:714/85  |  提交时间:2014/10/31
CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  曹中祥;  吴南健;  周杨帆;  李全良
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TiO2柱撑MoS2复合纳米材料用于二恶英无害化处理的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-23
发明人:  裴洋;  夏建白;  李京波
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基于场效应晶体管的太赫兹波探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  刘朝阳;  刘力源;  吴南健
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