Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| TiO2柱撑MoS2复合纳米材料用于二恶英无害化处理的方法 | |
| 裴洋; 夏建白; 李京波 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2013-07-23 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体物理 |
| 申请日期 | 2013-05-04 |
| 申请号 | CN201410183663.1 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25669 |
| 专题 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 裴洋,夏建白,李京波. TiO2柱撑MoS2复合纳米材料用于二恶英无害化处理的方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| TiO_sub_2__sub_柱撑MoS（596KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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